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射頻同軸連接器功率容量的因素


?影響射頻同軸連接器功率容量方面的每個因素。

射頻同軸連接器?接頭規格:對同信號頻率射頻信號,尺寸大的接頭功率承受大。例如接頭針孔規格關系到連接器的電流容量,會直接關系到功率。在各類常見的射頻同軸接頭中,7/16(DIN)、4.3-10、N型接頭規格也較大,相對應的針孔規格也較大,一般N型接頭功率承受大約為SMA的3-4倍。加上N頭更常用。

工作頻率:射頻同軸接頭功率承受會隨著信號頻率變高而降低,傳輸信號信號頻率變化導致消耗和電壓駐波比變化,從而影響到傳輸功率容量,還有趨膚效果等。例如一般的SMA接頭,在2GHz的功率承受大約為500W,在18GHz下的平均功率承受沒到100W。頻率高于18GHz的衰減器、負載等無源器件,平均功率承受大部分都在100W以內。針對毫米波的頻段,像1.85mm67GHz固定衰減器在平均功率承受10W以內,1.85mm67GHz負載平均功率承受在22W以內。2.92mm的衰減器和負載可以選擇的就比較多,平均功率承受最高可達100W。


?射頻同軸連接器功率容量的因素

射頻同軸連接器功率容量的因素?


電壓駐波比:RF連接器在設計時明確了一定的電長度,在相同長度的線路中,阻抗和負載阻抗不相等時,從負載端有一部分電壓和電流,被反射而返回電源側的波,稱之為反射波;從電原到負載的電壓和電流稱之為入射波。入射波和反射波的合成波,被稱作駐波。駐波的電壓最大值和最小值比值,稱之為電壓駐波比(亦可成為駐波系數)。反射波占用通道容量空間,致使傳輸功率容量降低。

接入損耗:插入損耗(IL)就是指因為RF連接器的引入導致線路上功率的消耗。看作是輸出功率與輸入功率比值。使連接器插損增大的因素很多,主要有:阻抗的不一致、裝配精度偏差、配合端面空隙、軸線歪斜、橫向偏移、偏心、加工精度及電鍍工藝等所導致。因為消耗的存在使輸入與輸出功率之間存在差別,也會影響承受功率。

海拔氣壓:氣壓變化導致氣體段介電常數發生改變,且低壓時氣體易電離形成電暈。海撥高度越高,氣壓越低,功率容量越小。

接觸電阻:RF連接器的接觸電阻就是指連接器插合時內外導體接觸點的電阻,一般在毫歐級,數值應盡量小。它主要考核接觸件的機械性能,測量時應去除體電阻、
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